退火爐是在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)制造中采用的一種加工工藝，其包含加溫好幾個半導(dǎo)體芯片芯片以危害其電氣性能。熱處理工藝是對于不一樣的實(shí)際效果而制定的。可以加溫芯片以激話摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)化成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成芯片襯底頁面，使高密度堆積的薄膜，更改生長發(fā)育的薄膜的情況，修補(bǔ)引入的損害，挪動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜遷移到另一個薄膜或從薄膜進(jìn)到圓晶襯底。退火爐可以集成化到別的火爐解決過程中，例如空氣氧化，或是可以自已解決。

　　退火爐是由加溫半導(dǎo)體材料芯片而制定的機(jī)器設(shè)備進(jìn)行的。退火爐是周期時間式作業(yè)爐，節(jié)能構(gòu)造，選用纖維組織，省電60%。

　　退火爐體的結(jié)構(gòu)、加熱工藝、溫度操作及爐內(nèi)氣氛等，直接影響產(chǎn)品的加工質(zhì)量。加溫過程中，提高了金屬的加熱溫度，可以降低變形阻力，但過高的溫度會導(dǎo)致晶粒長大、氧化或過燒，嚴(yán)重影響工件質(zhì)量。退火時，如果將鋼材加熱到某一臨界點(diǎn)以上，然后突然冷卻，則能夠提高鋼的硬度和強(qiáng)度；如果將其加熱到某一臨界點(diǎn)后慢慢冷卻，那么鋼的硬度便會降低，從而提高韌性。

　　為得到尺寸精確、表面光潔的工件，或?yàn)檫_(dá)到保護(hù)模具、減少加工余量等目的，可以選擇多種少氧化加熱爐。采用有少量開放無氧化的加熱爐燃料不完全燃燒產(chǎn)生還原氣，對工件進(jìn)行加熱可以使氧化燒損率降至0.3。